一種消除失調電壓影響的帶隙基準電路
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202021261728.7 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN212135266U | 公開(公告)日 | 2020-12-11 |
申請公布號 | CN212135266U | 申請公布日 | 2020-12-11 |
分類號 | G05F1/46(2006.01)I | 分類 | 控制;調節(jié); |
發(fā)明人 | 錢棟良 | 申請(專利權)人 | 無錫中科微電子工業(yè)技術研究院有限責任公司 |
代理機構 | 無錫市大為專利商標事務所(普通合伙) | 代理人 | 無錫中科微電子工業(yè)技術研究院有限責任公司 |
地址 | 214135江蘇省無錫市新吳區(qū)菱湖大道200號微納園CI座5樓 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本實用新型屬于模擬集成電路設計領域,具體公開了一種消除失調電壓影響的帶隙基準電路,包括具有PMOS和NMOS輸入差動對的折疊式共源共柵運放、選擇器、偏置電路和雙極帶隙輸出電路;其中,選擇器由兩相不交疊時鐘控制,使得共源共柵運放能夠在失調存儲和差動放大兩種工作模式之間來回切換。失調存儲模式下,斷開共源共柵運放與帶隙輸出電路之間的連接,并通過反饋將失調電壓存儲在NMOS差動對上;差動放大模式下,恢復共源共柵運放與帶隙輸出電路之間的連接,由于PMOS差動對上的失調與存儲在NMOS差動對上的失調相減抵消,因此共源共柵運放僅對來自帶隙輸出電路的信號進行差動放大,基準不受失調電壓的影響。?? |
