一種卷對卷石墨烯薄膜生長設(shè)備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201922454004.8 申請日 -
公開（公告）號 CN211645381U 公開（公告）日 2020-10-09
申請公布號 CN211645381U 申請公布日 2020-10-09
分類號 C23C16/54(2006.01)I;C23C16/26(2006.01)I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 白曉航;汪偉;劉兆平 申請（專利權(quán)）人 寧波柔碳電子科技有限公司
代理機構(gòu) 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 寧波柔碳電子科技有限公司
地址 315201浙江省寧波市鎮(zhèn)海區(qū)莊市街道中官西路1818號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型提供了一種卷對卷石墨烯薄膜生長設(shè)備，包括：真空腔室、真空泵以及設(shè)置于所述真空腔室和真空泵之間的閥門；所述真空腔室內(nèi)包括：設(shè)置于真空腔室底部的鎵池，鎵池內(nèi)部承載有液態(tài)鎵；用于向鎵池內(nèi)通氣的進氣管；由依次設(shè)置的放卷輥、轉(zhuǎn)向輥和收卷輥組成的傳動設(shè)備；塑料薄膜安裝在放卷輥，經(jīng)轉(zhuǎn)向輥后，卷繞于收卷輥上；其中轉(zhuǎn)向輥浸漬于液態(tài)鎵中。本實用新型上述裝置利用液態(tài)鎵分解甲烷，塑料薄膜在鎵中傳動，直接在塑料薄膜表面生長石墨烯薄膜。本實用新型可以直接在塑料基底上生長石墨烯薄膜，方法簡單，成本低。??