一種熱光型相位調(diào)制結(jié)構(gòu)
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201810100489.8 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(kāi)(公告)號(hào) | CN110109267A | 公開(kāi)(公告)日 | 2019-08-09 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN110109267A | 申請(qǐng)公布日 | 2019-08-09 |
分類(lèi)號(hào) | G02F1/025;G02F1/01 | 分類(lèi) | 光學(xué); |
發(fā)明人 | 李冰;李營(yíng)營(yíng) | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人 | 上海硅通半導(dǎo)體技術(shù)有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 上海智晟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) | 代理人 | 上海硅通半導(dǎo)體技術(shù)有限公司 |
地址 | 200438 上海市楊浦區(qū)國(guó)定路335號(hào)2號(hào)樓1011-4室 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明的實(shí)施例公開(kāi)了一種熱光型相位調(diào)制結(jié)構(gòu),包括:波導(dǎo);設(shè)置在所述波導(dǎo)周?chē)陌鼘?;設(shè)置在所述包層與所述波導(dǎo)相鄰一側(cè)的相對(duì)側(cè)的第一接觸摻雜區(qū)和第二接觸摻雜區(qū);設(shè)置在第一接觸摻雜區(qū)上方且與第一接觸摻雜區(qū)形成電連接的第一電極;以及設(shè)置在第二接觸摻雜區(qū)上方且與第二接觸摻雜區(qū)形成電連接的第二電極。 |
