一種硅基吸收型電光調(diào)制器及提高調(diào)制效率的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810100488.3 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN110109266A 公開（公告）日 2019-08-09
申請公布號(hào) CN110109266A 申請公布日 2019-08-09
分類號(hào) G02F1/015 分類 光學(xué);
發(fā)明人 李冰;李營營 申請（專利權(quán)）人 上海硅通半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海智晟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 上海硅通半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
地址 200438 上海市楊浦區(qū)國定路335號(hào)2號(hào)樓1011-4室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明的實(shí)施例公開了一種硅基吸收型電光調(diào)制器。硅基吸收型電光調(diào)制器包括硅襯底；形成在硅襯底上的埋氧層；形成在埋氧層上的光波導(dǎo)；所述光波導(dǎo)具有一個(gè)或多個(gè)輕摻雜區(qū)，所述輕摻雜區(qū)包括摻雜N型雜質(zhì)的N型輕摻雜區(qū)和摻雜P型雜區(qū)的P型輕摻雜區(qū)，其中所述N型輕摻雜區(qū)與所述P型輕摻雜區(qū)重疊。通過在波導(dǎo)區(qū)摻入雜質(zhì)，降低載流子遷移率，從而提高吸收系數(shù)。通過在波導(dǎo)區(qū)同時(shí)摻入N型雜質(zhì)和P型雜質(zhì)，并使兩種雜質(zhì)完全重疊，解決在波導(dǎo)區(qū)摻入雜質(zhì)會(huì)提高器件的光學(xué)損耗的技術(shù)問題，可以在不產(chǎn)生額外的損耗的情況下，降低載流子遷移率，提高吸收系數(shù)。