SOI和體硅混合晶圓結(jié)構(gòu)及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610092270.9 申請日 -
公開（公告）號 CN107039459A 公開（公告）日 2017-08-11
申請公布號 CN107039459A 申請公布日 2017-08-11
分類號 H01L27/12(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李冰 申請（專利權(quán)）人 上海硅通半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 200437 上海市楊浦區(qū)逸仙路135號2號樓2樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了SOI和體硅混合晶圓的結(jié)構(gòu)和制備方法，以絕緣體上硅(SOI)晶圓為襯底，制備SOI結(jié)構(gòu)與體硅結(jié)構(gòu)共存的混合晶圓，以作為光路電路單片集成芯片的襯底。SOI結(jié)構(gòu)和體硅結(jié)構(gòu)并存的混合晶圓，其特征在于，混合晶圓由SOI結(jié)構(gòu)部分和體硅部分混合組成；絕緣體上硅部分包括頂硅層、埋氧層和硅襯底，體硅部分為單晶硅結(jié)構(gòu)；SOI區(qū)域?yàn)楣饴穮^(qū)域，體硅區(qū)域?yàn)殡娐穮^(qū)域。制備方法包括在起始SOI晶圓上依靠光刻和刻蝕產(chǎn)生制備體硅區(qū)域的窗口，通過常規(guī)外延的方法生長體硅區(qū)域，再通過平坦化工藝去除不需要的多晶硅使表面平整；制備方法其特征還在于在SOI區(qū)域和體硅區(qū)域間隔離的選擇、外延工藝的選擇和平坦化工藝的選擇。