一種GaN基半導(dǎo)體器件歐姆接觸高壓可靠性的檢測(cè)方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201410005195.9 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN103713252B 公開(kāi)（公告）日 2016-06-01
申請(qǐng)公布號(hào) CN103713252B 申請(qǐng)公布日 2016-06-01
分類號(hào) G01R31/26(2014.01)I 分類 測(cè)量；測(cè)試;
發(fā)明人 趙妙;劉新宇;魏珂;孔欣;王兵;鄭英奎;李艷奎;歐陽(yáng)思華 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 昆山工研院第三代半導(dǎo)體研究院有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所
地址 100029 北京市朝陽(yáng)區(qū)北土城西路3號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種GaN基半導(dǎo)體器件歐姆接觸高壓可靠性的檢測(cè)方法，包括：在待檢測(cè)GaN基半導(dǎo)體器件上形成多組傳輸線測(cè)試圖形，每組傳輸線測(cè)試圖形包括多個(gè)相同的、間隔分布的電極；采用金絲將所述多組傳輸線測(cè)試圖形串聯(lián)；獲取單組的傳輸線測(cè)試圖形與所述待檢測(cè)GaN基半導(dǎo)體器件的接觸電阻和薄層電阻；為串接后的傳輸線測(cè)試圖形提供高壓應(yīng)力，再次獲取所述接觸電阻和薄層電阻，并獲取串接后的多組傳輸線測(cè)試圖形的伏安特性曲線；根據(jù)施加高壓應(yīng)力前后所述接觸電阻和薄層電阻的穩(wěn)定性以及施加高壓應(yīng)力后所述金絲的電子掃描顯像圖判定所述待檢測(cè)GaN基半導(dǎo)體器件的歐姆接觸高壓可靠性。所述檢測(cè)方法可用于檢測(cè)GaN基HEMT歐姆接觸高壓可靠性。