高電子遷移率晶體管器件及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610632720.9 申請日 -
公開（公告）號 CN106298882A 公開（公告）日 2017-01-04
申請公布號 CN106298882A 申請公布日 2017-01-04
分類號 H01L29/40(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 尹成功;裴軼 申請（專利權(quán)）人 昆山工研院第三代半導體研究院有限公司
代理機構(gòu) 北京超凡志成知識產(chǎn)權(quán)代理事務所（普通合伙） 代理人 李進
地址 215300 江蘇省蘇州市昆山市高新區(qū)晨豐路18號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種高電子遷移率晶體管器件，涉及半導體技術(shù)領(lǐng)域，該器件的第一介質(zhì)層位于柵極與源極、漏極之間的半導體層上，第一源場板位于柵極與漏極之間的第一介質(zhì)層上，第二介質(zhì)層位于柵極、第一源場板和第一介質(zhì)層上，第二源場板位于柵極、第一源場板上的第二介質(zhì)層上，第一源場板和第二源場板削弱柵極與漏極之間靠近柵極的區(qū)域強電場，第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層在長時間應力、高電壓應力下不易發(fā)生介質(zhì)層失效。該器件既能削弱柵極與漏極之間靠近柵極區(qū)域存在的強電場，又能減少柵極和源場板之間的介質(zhì)層發(fā)生失效的幾率。本發(fā)明還提供一種高電子遷移率晶體管器件的制造方法，工藝流程簡單，制得的器件可靠性高。