一種半導體芯片的封裝結構

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610301601.5 申請日 -
公開（公告）號 CN106910725B 公開（公告）日 2019-11-05
申請公布號 CN106910725B 申請公布日 2019-11-05
分類號 H01L23/373（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 裴風麗 申請（專利權）人 昆山工研院第三代半導體研究院有限公司
代理機構 北京超凡志成知識產權代理事務所（普通合伙） 代理人 蘇州能訊高能半導體有限公司;昆山工研院第三代半導體研究院有限公司
地址 215300 江蘇省蘇州市昆山市高新區(qū)晨豐路18號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及微電子技術領域，提供了一種半導體芯片的封裝結構，其包括：金屬載體層、第一熱擴散層、導熱粘附層以及半導體芯片。第一熱擴散層位于金屬載體層上；導熱粘附層位于第一熱擴散層上；半導體芯片位于導熱粘附層上；第一熱擴散層至少包括石墨烯層。本發(fā)明的半導體芯片的封裝結構，由于第一熱擴散層含有石墨烯層，而石墨烯層的熱傳導具有異向性，增大了熱交換的面積，解決了由于芯片熱源導致的導熱粘附層散熱不均勻的問題，減小了芯片與金屬載體層間的熱阻，提高了芯片的熱導出效能。