一種半導(dǎo)體器件及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201510999747.7 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN105895667B 公開(kāi)（公告）日 2019-07-23
申請(qǐng)公布號(hào) CN105895667B 申請(qǐng)公布日 2019-07-23
分類(lèi)號(hào) H01L29/06;H01L29/20;H01L21/335;H01L29/772 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉飛航 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 昆山工研院第三代半導(dǎo)體研究院有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京品源專(zhuān)利代理有限公司 代理人 蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司
地址 215300 江蘇省蘇州市昆山市高新區(qū)晨豐路18號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種半導(dǎo)體器件及其制造方法，該半導(dǎo)體器件包括：半導(dǎo)體基底；位于半導(dǎo)體基底上的有源區(qū)，有源區(qū)具有柵極、源極和漏極；位于半導(dǎo)體基底上的閉合金屬環(huán)狀結(jié)構(gòu)，用于包圍有源區(qū)并通過(guò)接收電壓以形成耗盡隔離層。本發(fā)明中耗盡隔離層通過(guò)電場(chǎng)耗盡形成，因此不存在現(xiàn)有隔離工藝帶來(lái)的缺陷；可通過(guò)調(diào)節(jié)施加在閉合金屬環(huán)狀結(jié)構(gòu)上的電壓以形成不同深度的耗盡隔離層，因此隔離深度可控、隔離效果好；閉合金屬環(huán)狀結(jié)構(gòu)的厚度較薄，不會(huì)造成明顯的平坦化問(wèn)題，且其可靠性高、制造工藝簡(jiǎn)單、不需要精確控制、成本也較低。