一種半導(dǎo)體芯片的封裝結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610301601.5 申請日 -
公開（公告）號 CN106910725A 公開（公告）日 2017-06-30
申請公布號 CN106910725A 申請公布日 2017-06-30
分類號 H01L23/373 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 裴風(fēng)麗 申請（專利權(quán)）人 昆山工研院第三代半導(dǎo)體研究院有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京超凡志成知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司;昆山工研院第三代半導(dǎo)體研究院有限公司
地址 215300 江蘇省蘇州市昆山市高新區(qū)晨豐路18號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及微電子技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種半導(dǎo)體芯片的封裝結(jié)構(gòu)，其包括：金屬載體層、第一熱擴(kuò)散層、導(dǎo)熱粘附層以及半導(dǎo)體芯片。第一熱擴(kuò)散層位于金屬載體層上；導(dǎo)熱粘附層位于熱擴(kuò)散層上；半導(dǎo)體芯片位于導(dǎo)熱粘附層上；第一熱擴(kuò)散層至少包括石墨烯層。本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片的封裝結(jié)構(gòu)，由于第一熱擴(kuò)散層含有石墨烯層，而石墨烯層的熱傳導(dǎo)具有異向性，增大了熱交換的面積，解決了由于芯片熱源導(dǎo)致的導(dǎo)熱粘附層散熱不均勻的問題，減小了芯片與金屬載體層間的熱阻，提高了芯片的熱導(dǎo)出效能。