一種T型柵HEMT器件及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201110340553.8 申請日 -
公開（公告）號 CN102361010B 公開（公告）日 2015-06-10
申請公布號 CN102361010B 申請公布日 2015-06-10
分類號 H01L21/335(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 魏珂;劉新宇;黃俊;劉果果 申請（專利權）人 昆山工研院第三代半導體研究院有限公司
代理機構 北京集佳知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 中國科學院微電子研究所;昆山工研院第三代半導體研究院有限公司
地址 100029 北京市朝陽區(qū)北土城西路3號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種T型柵HEMT器件及其制作方法，該方法包括：提供基底，所述基底包括：本體層、外延層、源極、漏極和鈍化層；在所述鈍化層表面內(nèi)形成細柵圖形；在具有細柵圖形的鈍化層表面上形成雙層光刻膠層，在所述雙層光刻膠層表面內(nèi)形成T型柵圖形；在所述鈍化層表面內(nèi)和外延層表面內(nèi)形成T型柵圖形的柵腳圖形；形成T型柵，所述T型柵的柵腳部分穿過所述鈍化層深入到所述外延層表面內(nèi)，且所述柵腳底部被分為呈階梯狀排列的兩部分，靠近源極的部分比靠近漏極的部分長。T型柵產(chǎn)生的電場更加均勻，在實際應用的時候可以降低柵腳靠近漏極一側的邊緣電場，進而降低漏壓，使得器件的擊穿電壓升高。