一種半導體器件及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201510278650.7 申請日 -
公開（公告）號 CN105321993B 公開（公告）日 2019-03-29
申請公布號 CN105321993B 申請公布日 2019-03-29
分類號 H01L29/41（2006.01）I; H01L29/778（2006.01）I; H01L21/335（2006.01）I; H01L21/28（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 裴風麗; 裴軼; 張乃千 申請（專利權）人 昆山工研院第三代半導體研究院有限公司
代理機構 北京品源專利代理有限公司 代理人 蘇州能訊高能半導體有限公司;昆山工研院第三代半導體研究院有限公司
地址 215300 江蘇省蘇州市昆山市高新區(qū)晨豐路18號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種半導體器件及其制備方法，所述器件包括襯底；位于所述襯底上的半導體層，所述半導體層中包括有源區(qū)和與所述有源區(qū)相鄰的無源區(qū)；位于所述半導體層上的源極、漏極、以及位于所述源極和所述漏極之間的柵極；所述柵極、源極和漏極中至少有一種電極分成至少兩段，其中一段位于所述有源區(qū)上，其中一段位于所述無源區(qū)上。本發(fā)明在半導體層中形成無源區(qū)，破壞了部分柵極、源極或/和漏極下面區(qū)域的導電溝道，使溝道產(chǎn)生的熱量減少，即減少了半導體器件的自熱，而柵極、源極和漏極的面積不變，相對而言，增大了器件的散熱面積，使熱量能夠有效地散發(fā)出去。