一種TMR芯片的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110242889.4 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113061855A 公開（公告）日 2021-07-02
申請(qǐng)公布號(hào) CN113061855A 申請(qǐng)公布日 2021-07-02
分類號(hào) C23C14/35;C23C14/02;C23C14/58 分類 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 劉明;關(guān)蒙萌;胡忠強(qiáng);朱紅艷;朱家訓(xùn) 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 珠海多創(chuàng)科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣東朗乾律師事務(wù)所 代理人 楊煥軍
地址 519000 廣東省珠海市高新區(qū)唐家灣鎮(zhèn)科技七路1號(hào)4棟5-B單元
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種TMR芯片的制備方法，包括以下步驟：晶圓清洗，采用有機(jī)溶劑和去離子水交替清洗晶圓，然后用惰性氣體吹干晶圓，再將晶圓烘干；離子清洗，對(duì)晶圓采用惰性氣體進(jìn)行離子清洗；負(fù)偏壓低氣壓磁控濺射，將晶圓放入濺射設(shè)備腔體中，使用偏壓電源在晶圓和設(shè)備腔體之間施加?200～?2000V的負(fù)偏壓，在低于0.3pa的氣壓條件下進(jìn)行磁控濺射；退火，退火溫度為250～400℃。本發(fā)明方法從TMR芯片制備過程中材料生長(zhǎng)的全局出發(fā)，考慮了在薄膜生長(zhǎng)中的各環(huán)節(jié)影響膜層結(jié)合力的因素，并給以針對(duì)性的解決方案，使得TMR芯片膜層結(jié)合力良好，能經(jīng)受住后續(xù)微加工環(huán)節(jié)的各種考驗(yàn)。