基于磁控濺射的屏蔽導(dǎo)電膜層制備設(shè)備、方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110729112.0 申請日 -
公開（公告）號 CN113445018A 公開（公告）日 2021-09-28
申請公布號 CN113445018A 申請公布日 2021-09-28
分類號 C23C14/56（2006.01）I;C23C14/35（2006.01）I;C23C14/16（2006.01）I;C23C14/20（2006.01）I;C23C14/18（2006.01）I;H05K9/00（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 李方軍;于春鋒;張謙;彭岫麟 申請（專利權(quán)）人 山東三齊能源有限公司
代理機構(gòu) 濟南誠智商標專利事務(wù)所有限公司 代理人 劉乃東
地址 250220山東省濟南市章丘區(qū)明水經(jīng)濟開發(fā)區(qū)圣福路2877號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種基于磁控濺射的屏蔽導(dǎo)電膜層制備設(shè)備，沿著基材的輸送方向，設(shè)備包括依次設(shè)置的上料升降裝置、進料腔、真空鍍膜室Y1、真空鍍膜室Y2、出料腔以及下料升降裝置，進料腔、出料腔中均設(shè)有破氣閥，真空鍍膜室Y1和真空鍍膜室Y2相連通且兩真空鍍膜室保持相同的真空狀態(tài)，設(shè)備還包括真空腔內(nèi)傳送機構(gòu)、真空腔外傳送機構(gòu)、工藝氣體系統(tǒng)以及抽氣系統(tǒng)；本設(shè)備可實現(xiàn)對數(shù)量較多的基材進行連續(xù)鍍膜作業(yè)，工藝參數(shù)調(diào)整簡單方便。本發(fā)明還提出了一種基于磁控濺射的屏蔽導(dǎo)電膜層制備方法，使用該方法制備的屏蔽膜層，可用于筆記本外殼、電視機外殼、手機外殼等產(chǎn)品上做為屏蔽膜層，起到屏蔽電磁波、防止干擾、減少電磁波輻射的作用。