一種SERS芯片的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810240133.4 申請日 -
公開（公告）號 CN108872186B 公開（公告）日 2021-07-27
申請公布號 CN108872186B 申請公布日 2021-07-27
分類號 G01N21/65（2006.01）I 分類 測量；測試;
發(fā)明人 孫海龍;郭清華 申請（專利權(quán)）人 蘇州英菲尼納米科技有限公司
代理機構(gòu) 蘇州創(chuàng)元專利商標事務(wù)所有限公司 代理人 汪青;周敏
地址 215000江蘇省蘇州市中國（江蘇）自由貿(mào)易試驗區(qū)蘇州片區(qū)蘇州工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號蘇州納米城西北區(qū)09幢406室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了SERS芯片包括表面具有多個凹坑的襯底和設(shè)置在凹坑內(nèi)的納米結(jié)構(gòu)單元，納米結(jié)構(gòu)單元包括一個或多個金屬納米棒，金屬納米棒上部伸出凹坑。本發(fā)明通過使金屬納米棒的一端露出凹坑，裸露在外面的SERS活性物質(zhì)具有高的均勻性和穩(wěn)定性，本發(fā)明的制備方法簡單、效率高、成本低、能大規(guī)模地生產(chǎn)高性能SERS芯片，能很好的滿足商業(yè)化的需求。本發(fā)明制得的SERS芯片，可重復(fù)性高，熱點均勻，性質(zhì)穩(wěn)定，可大面積生長，靈敏度高。