一種SERS芯片及其制備方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201810240090.X | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN108613959B | 公開(公告)日 | 2020-03-24 |
申請公布號 | CN108613959B | 申請公布日 | 2020-03-24 |
分類號 | G01N21/65;G01N21/01 | 分類 | 測量;測試; |
發(fā)明人 | 孫海龍;郭清華 | 申請(專利權(quán))人 | 蘇州英菲尼納米科技有限公司 |
代理機構(gòu) | 蘇州創(chuàng)元專利商標事務(wù)所有限公司 | 代理人 | 蘇州天際創(chuàng)新納米技術(shù)有限公司;蘇州英菲尼納米科技有限公司 |
地址 | 215123 江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)若水路398號D棟7樓 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提供了一種SERS芯片及其制備方法,所述SERS芯片包括表面具有多個凹坑的襯底和設(shè)置在所述凹坑內(nèi)的納米結(jié)構(gòu)單元,所述納米結(jié)構(gòu)單元包括設(shè)置在所述凹坑內(nèi)的第一部以及位于所述凹坑外的第二部。本發(fā)明先在襯底的凹坑中生長第一納米粒子,然后在第一納米粒子的位置生長第二納米粒子并使得第二納米粒子長至凹坑外制得芯片,該芯片的制備工藝簡單、效率高、成本低、能大規(guī)模地生產(chǎn)高性能SERS芯片,能很好的滿足商業(yè)化的需求。本發(fā)明制得的SERS芯片,可重復(fù)性高,熱點均勻,性質(zhì)穩(wěn)定,可大面積生長,靈敏度高,可以進行多次循環(huán)使用,從而節(jié)約用戶成本,并可以實現(xiàn)多種低濃度有機物的檢測。 |
