一種SERS芯片及其制備方法和應(yīng)用

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201810240142.3 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN108645832B 公開(kāi)（公告）日 2021-07-27
申請(qǐng)公布號(hào) CN108645832B 申請(qǐng)公布日 2021-07-27
分類號(hào) G01N21/65（2006.01）I 分類 測(cè)量；測(cè)試;
發(fā)明人 孫海龍;郭清華 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 蘇州英菲尼納米科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 代理人 汪青;周敏
地址 215000江蘇省蘇州市中國(guó)（江蘇）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)蘇州片區(qū)蘇州工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號(hào)蘇州納米城西北區(qū)09幢406室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了SERS基底及其制備方法和應(yīng)用，SERS芯片包括SERS襯底和設(shè)置在SERS襯底表面的多個(gè)納米結(jié)構(gòu)單元，納米結(jié)構(gòu)單元包括設(shè)置在SERS襯底表面的多個(gè)凹坑、設(shè)置在凹坑內(nèi)的納米粒子聚集體，納米結(jié)構(gòu)單元還包括連接在納米粒子聚集體表面的功能分子層，功能分子層用于將待測(cè)分子固定到納米粒子聚集體表面。本發(fā)明通過(guò)在基底上修飾一種或多種功能分子，使得芯片具備不同的功能，從而可以用于不同的檢測(cè)領(lǐng)域。該芯片的制備工藝簡(jiǎn)單、效率高、成本低、能大規(guī)模地生產(chǎn)高性能SERS芯片，能很好的滿足商業(yè)化的需求。本發(fā)明制得的SERS芯片，可重復(fù)性高，熱點(diǎn)均勻，性質(zhì)穩(wěn)定，可大面積生長(zhǎng)，靈敏度高。