一種MEMS壓電能量收集器件及其制備方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201310349525.1 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN103420326B | 公開(公告)日 | 2016-03-16 |
申請公布號 | CN103420326B | 申請公布日 | 2016-03-16 |
分類號 | B81C1/00(2006.01)I;B81B7/00(2006.01)I | 分類 | 微觀結構技術〔7〕; |
發(fā)明人 | 歐毅;張曉雅;楊冬霞;王憲東 | 申請(專利權)人 | 重慶智慧之源科技有限公司 |
代理機構 | 天津濱??凭曋R產權代理有限公司 | 代理人 | 楊慧玲 |
地址 | 300384 天津市濱海新區(qū)高新區(qū)華苑產業(yè)區(qū)(環(huán)外)海泰發(fā)展五道16號B-4號樓-2-102-4 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明創(chuàng)造提供一種MEMS壓電能量收集器件及其制備方法,方法包括如下步驟:光刻曝光及刻蝕劃片道圖形;在硅襯底雙面生成氮化硅;光刻曝光并刻蝕背面腐蝕窗口的氮化硅;在硅襯底正面光刻壓電陶瓷片下電極圖形,蒸發(fā)金層,并超聲剝離;在硅襯底正面光刻并顯影導電膠圖形,并在其上方旋涂導電膠;在硅襯底正面壓電陶瓷片下電極圖形上方粘附壓電陶瓷片,之后進行固化;去除多余導電膠圖形;對壓電陶瓷片進行減薄拋光處理,并使表面光滑;在硅襯底正面及壓電陶瓷片上表面,滿片蒸發(fā)金層,形成上電極;采用濕法腐蝕從硅襯底背面腐蝕形成硅懸臂梁。采用本發(fā)明提供的PZT鍵合技術可以大大簡化器件的制作工藝難度,同時提高了器件性能。 |
