濺射鍍膜裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111204280.4 申請日 -
公開（公告）號 CN114107920A 公開（公告）日 2022-03-01
申請公布號 CN114107920A 申請公布日 2022-03-01
分類號 C23C14/35（2006.01）I;C23C14/02（2006.01）I;C23C14/50（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 楊鵬 申請（專利權(quán)）人 萬津?qū)崢I(yè)（赤壁）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 劉寧
地址 437300湖北省咸寧市赤壁市中伙光谷產(chǎn)業(yè)園縱5路
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種濺射鍍膜裝置，包括具有容納腔的殼體、至少兩個(gè)帶有磁性的噴射組件以及至少一個(gè)帶有磁性的偏壓組件。至少兩個(gè)噴射組件沿殼體的周向固設(shè)于殼體的內(nèi)側(cè)壁，至少一個(gè)偏壓組件沿殼體的周向收容于容納腔中，每個(gè)偏壓組件的磁極與一個(gè)噴射組件的磁極相反，每個(gè)偏壓組件能夠繞殼體的中心軸線相對于殼體旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生鍍膜工藝所需要的負(fù)偏壓。從而不需增加額外的直流電源，只在每個(gè)偏壓組件經(jīng)過噴射組件與殼體的中心軸的連線，并且每個(gè)偏壓組件相向面對噴射組件的時(shí)候才產(chǎn)生鍍膜工藝所需要的負(fù)偏壓，達(dá)到了精準(zhǔn)偏壓以及節(jié)約電資源的目的。