復(fù)合激光晶體的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011575239.3 申請日 -
公開（公告）號 CN112795987A 公開（公告）日 2021-05-14
申請公布號 CN112795987A 申請公布日 2021-05-14
分類號 C30B33/06;C30B33/02;C30B29/28;C30B7/14 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 梁杰通;李興旺;楊宇;李湧江;蘆佳;王永國 申請（專利權(quán)）人 北京雷生強式科技有限責(zé)任公司
代理機構(gòu) 北京三高永信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 代理人 孔德月
地址 100015 北京市朝陽區(qū)酒仙橋路4號11所南門
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種復(fù)合激光晶體的制備方法，屬于激光晶體領(lǐng)域。該方法包括：提供晶種和鍵合原料，晶種用于形成復(fù)合激光晶體的第一層，鍵合原料用于形成復(fù)合激光晶體的第二層，第一層和第二層中的一個作為增益介質(zhì)層，另一個作為功能支撐層；提供反應(yīng)釜，反應(yīng)釜內(nèi)部具有低溫區(qū)和高溫區(qū)，使晶種位于低溫區(qū)以及使鍵合原料位于高溫區(qū)；在礦化劑溶液氛圍下，使鍵合原料溶解并通過礦化劑溶液轉(zhuǎn)移至晶種的鍵合面上進行生長，在晶種的鍵合面上形成復(fù)合激光晶體的第二層，制備得到復(fù)合激光晶體，其界面結(jié)合強度高、損耗低，光學(xué)質(zhì)量高。