一種磁光晶體、磁光器件及制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010446400.0 申請日 -
公開（公告）號 CN111621849B 公開（公告）日 2021-07-27
申請公布號 CN111621849B 申請公布日 2021-07-27
分類號 C30B29/12（2006.01）I;C30B15/00（2006.01）I;G02F1/09（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 李興旺;梁杰通;楊宇;蘆佳;王永國;鄭東陽 申請（專利權）人 北京雷生強式科技有限責任公司
代理機構 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 代理人 邢少真
地址 100015北京市朝陽區(qū)酒仙橋路4號11所南門
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種磁光晶體、磁光器件及制備方法，屬于光學晶體領域。該磁光晶體的化學式為KTb（3?x?y?z?r?w）YxGdyHozCerPrwF10；其中，0.01≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤0.3，0≤r≤0.15，0≤w≤0.15。該磁光晶體不僅具有與KTF晶體相當物化性能，例如晶體熱性能和光學性能，還具有更高的維爾德常數(shù)，獲得顯著改善的磁旋光特性。另外，由于Y、Gd、Ho、Ce、Pr的氟化物成本均顯著低于TbF3，利于降低本發(fā)明實施例提供的磁光晶體的成本。