摻雜釔鋁石榴石激光晶體、鍵合晶體及生長方法和裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201711212015.4 申請日 -
公開（公告）號 CN108004595B 公開（公告）日 2019-10-25
申請公布號 CN108004595B 申請公布日 2019-10-25
分類號 C30B29/28（2006.01）I; C30B15/00（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 李洪峰; 李興旺; 莫小剛; 王永國; 王軍杰; 楊國利; 杜秀紅; 韓劍鋒; 畢海 申請（專利權）人 北京雷生強式科技有限責任公司
代理機構 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 代理人 北京雷生強式科技有限責任公司
地址 100015 北京市朝陽區(qū)酒仙橋路4號11所南門
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種摻雜釔鋁石榴石激光晶體、鍵合晶體及其生長方法和裝置，屬于激光材料領域。該摻雜釔鋁石榴石激光晶體摻雜有釤離子，以及用于使所述摻雜釔鋁石榴石激光晶體的吸收峰藍移的摻雜離子。通過向其中摻雜釤離子和摻雜離子，來使其吸收峰藍移，即使其吸收光譜發(fā)生藍移，如此可提高該摻雜釔鋁石榴石激光晶體的吸收光譜與Nd:YAG激光晶體的發(fā)射光譜的重合度，使得摻雜釔鋁石榴石激光晶體對Nd3+離子在YAG晶體中的1064.15nm發(fā)射主峰的吸收系數較高，進而提高對Nd:YAG激光晶體寄生振蕩的抑制效率。