一種磁光晶體、磁光器件及制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010446400.0 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN111621849A 公開(kāi)（公告）日 2020-09-04
申請(qǐng)公布號(hào) CN111621849A 申請(qǐng)公布日 2020-09-04
分類(lèi)號(hào) C30B29/12(2006.01)I 分類(lèi) 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 李興旺;梁杰通;楊宇;蘆佳;王永國(guó);鄭東陽(yáng) 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 北京雷生強(qiáng)式科技有限責(zé)任公司
代理機(jī)構(gòu) 北京三高永信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 代理人 北京雷生強(qiáng)式科技有限責(zé)任公司
地址 100015北京市朝陽(yáng)區(qū)酒仙橋路4號(hào)11所南門(mén)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種磁光晶體、磁光器件及制備方法，屬于光學(xué)晶體領(lǐng)域。該磁光晶體的化學(xué)式為KTb(3?x?y?z?r?w)YxGdyHozCerPrwF10；其中，0.01≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤0.3，0≤r≤0.15，0≤w≤0.15。該磁光晶體不僅具有與KTF晶體相當(dāng)物化性能，例如晶體熱性能和光學(xué)性能，還具有更高的維爾德常數(shù)，獲得顯著改善的磁旋光特性。另外，由于Y、Gd、Ho、Ce、Pr的氟化物成本均顯著低于TbF3，利于降低本發(fā)明實(shí)施例提供的磁光晶體的成本。??