薄膜太陽能電池大規(guī)模生產(chǎn)的制造裝置與方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN03825443.3 申請日 -
公開（公告）號 CN100530701C 公開（公告）日 2009-08-19
申請公布號 CN100530701C 申請公布日 2009-08-19
分類號 H01L31/108(2006.01)I;H01L31/06(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 D·R·霍拉斯 申請（專利權(quán)）人 金江水力發(fā)電集團有限公司
代理機構(gòu) 中國專利代理（香港）有限公司 代理人 米亞索爾公司;北京鉑陽頂榮光伏科技有限公司
地址 美國加利福尼亞州
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種完全通過濺射包括高效率背接觸/反射多層的制造改進的薄膜太陽能電池的方法，該背接觸/反射多層包含由過渡金屬氮化物組成的至少一個阻擋層。使用雙圓柱體旋轉(zhuǎn)磁控管技術(shù)，從特別準備的電傳導(dǎo)靶共濺射二硒化銅銦鎵(Cu(InxGa1-X)Se2)吸收體層(X的范圍從1至約0.1)。通過改變鎵的含量，可以分級吸收體層的帶隙。在硒化氫氣體中，從金屬合金靶反應(yīng)濺射交替的吸收體層。RF濺射用于沉積不包含鎘的ZnS窗口層。反應(yīng)濺射頂部透明電極ZnO摻雜鋁。描述了專用模塊真空卷裝濺射機器。該機器適于與雙圓柱體旋轉(zhuǎn)磁控管一體化，在單一途徑中以制造改進的太陽能電池材料。