薄膜太陽能電池大規(guī)模生產(chǎn)的制造裝置與方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN200910126433.0 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN101521249B | 公開(公告)日 | 2012-05-23 |
申請公布號 | CN101521249B | 申請公布日 | 2012-05-23 |
分類號 | H01L31/18(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I;B22F3/00(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | D·R·霍拉斯 | 申請(專利權)人 | 金江水力發(fā)電集團有限公司 |
代理機構 | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 米亞索爾公司;米亞索樂裝備集成(福建)有限公司 |
地址 | 美國加利福尼亞州 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 一種完全通過濺射包括高效率背接觸/反射多層的制造改進的薄膜太陽能電池的方法,該背接觸/反射多層包含由過渡金屬氮化物組成的至少一個阻擋層。使用雙圓柱體旋轉磁控管技術,從特別準備的電傳導靶共濺射二硒化銅銦鎵(Cu(InxGal-X)Se2)吸收體層(X的范圍從1至約0.1)。通過改變鎵的含量,可以分級吸收體層的帶隙。在硒化氫氣體中,從金屬合金靶反應濺射交替的吸收體層。RF濺射用于沉積不包含鎘的ZnS窗口層。反應濺射頂部透明電極ZnO摻雜鋁。描述了專用模塊真空卷裝濺射機器。該機器適于與雙圓柱體旋轉磁控管一體化,在單一途徑中以制造改進的太陽能電池材料。 |
