一種高速生長硅基薄膜的低成本方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN03103964.2 申請日 -
公開（公告）號 CN1273641C 公開（公告）日 2006-09-06
申請公布號 CN1273641C 申請公布日 2006-09-06
分類號 C23C16/24(2006.01);C23C16/50(2006.01) 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 耿新華;趙潁;薛俊明 申請（專利權(quán)）人 金江水力發(fā)電集團有限公司
代理機構(gòu) 天津市學(xué)苑有限責(zé)任專利代理事務(wù)所 代理人 南開大學(xué);昆明鉑陽遠(yuǎn)通光伏設(shè)備有限公司
地址 300071天津市衛(wèi)津路94號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及生長硅基薄膜，尤其是在低溫襯底上高速生長優(yōu)質(zhì)硅基薄膜的低成本技術(shù)，屬于薄膜光伏電池與薄膜晶體管等光電子器件技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明是克服常規(guī)生長硅基薄膜方法中或生長速率慢、或襯底溫度高、或離子轟擊嚴(yán)重等缺陷，整合其優(yōu)點。方案是，硅烷等反應(yīng)氣體先經(jīng)過熱絲加熱，再輸運到施加超高頻功率信號電極之間，只需施加較小功率的甚高頻信號，使硅烷易充分分解，通過化學(xué)氣相反應(yīng)沉積成膜，降低了離子轟擊，改善薄膜質(zhì)量。本發(fā)明的有益效果：襯底溫度低，便于采用玻璃、塑料等廉價襯底；離子轟擊小，薄膜生長速度快(＞50A/s)、性能好；反應(yīng)氣體分解充分，節(jié)省原材料，提高生產(chǎn)效率，降低了生產(chǎn)成本。