半導體工藝設備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011196032.5 申請日 -
公開（公告）號 CN112391597A 公開（公告）日 2021-02-23
申請公布號 CN112391597A 申請公布日 2021-02-23
分類號 C23C14/34(2006.01)I; 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 金晨;李建銀 申請（專利權）人 北京七星華創(chuàng)集成電路裝備有限公司
代理機構 北京天昊聯(lián)合知識產權代理有限公司 代理人 彭瑞欣;王婷
地址 101312北京市順義區(qū)天竺綜合保稅區(qū)竺園三街6號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請實施例提供了一種半導體工藝設備。該半導體工藝設備用于對基片進行稀土沉積工藝，其包括：電極組件及進氣機構均設置于工藝腔室的頂壁上，并且均沿第一方向延伸布置；進氣機構圍繞電極組件設置；移動機構設置于工藝腔室內的底部，并且沿第二方向延伸設置，用于承載并帶動基片沿第二方向移動，第二方向與第一方向相交；抽氣機構設置于工藝腔室的頂壁且與工藝腔室連通，抽氣機構位于電極組件的一側，抽氣機構在工藝腔室內具有抽氣口，抽氣口沿第一方向延伸且靠近進氣機構設置，用于使工藝腔室內的工藝氣體能夠均勻地通過基片表面。本申請實施例實現(xiàn)了在確保鍍膜均勻性同時還能大幅提高靶材濺出率，從而大幅降低生產成本。??