一種NAND FLASH的數(shù)據(jù)源區(qū)塊回收方法及固態(tài)硬盤

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710109206.1 申請日 -
公開（公告）號 CN108509349A 公開（公告）日 2018-09-07
申請公布號 CN108509349A 申請公布日 2018-09-07
分類號 G06F12/02 分類 計(jì)算；推算；計(jì)數(shù);
發(fā)明人 呂紹宏;林昱緯 申請（專利權(quán)）人 立而鼎科技（深圳）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市瑞方達(dá)知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 立而鼎科技（深圳）有限公司;深圳市得一微電子有限責(zé)任公司
地址 518000 廣東省深圳市前海深港合作區(qū)前灣一路1號A棟201室(入駐深圳市前海商務(wù)秘書有限公司)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種NAND FLASH的數(shù)據(jù)源區(qū)塊回收方法及固態(tài)硬盤。該方法包括步驟：在支持多通道以及多顆NAND FLASH的控制器中，將并行執(zhí)行的NAND FLASH組成一個儲存區(qū)塊集合；獲取每個儲存區(qū)塊集合的有效數(shù)據(jù)個數(shù)；比較每個儲存區(qū)塊集合的有效數(shù)據(jù)個數(shù)的大??；選取有效數(shù)據(jù)個數(shù)少的儲存區(qū)塊集合作為數(shù)據(jù)源區(qū)塊，若儲存區(qū)塊集合的有效數(shù)據(jù)個數(shù)相等，則取離散度小的儲存區(qū)塊集合作為數(shù)據(jù)源區(qū)塊，用選取的數(shù)據(jù)源區(qū)塊填充數(shù)據(jù)目標(biāo)區(qū)塊。通過實(shí)施本發(fā)明，能提高數(shù)據(jù)比對效率，使SSD反應(yīng)速度更快，還能選取回收效率最佳的數(shù)據(jù)源區(qū)塊，進(jìn)而充分發(fā)揮SSD速度。