一種TLC NAND FLASH固態(tài)硬盤的寫入方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201710262449.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN108733318A 公開（公告）日 2018-11-02
申請(qǐng)公布號(hào) CN108733318A 申請(qǐng)公布日 2018-11-02
分類號(hào) G06F3/06 分類 計(jì)算；推算；計(jì)數(shù);
發(fā)明人 徐暐淇;蘇忠益 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 立而鼎科技（深圳）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市瑞方達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 立而鼎科技（深圳）有限公司;深圳市得一微電子有限責(zé)任公司
地址 518000 廣東省深圳市前海深港合作區(qū)前灣一路1號(hào)A棟201室(入駐深圳市前海商務(wù)秘書有限公司)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種TLC NAND FLASH固態(tài)硬盤的寫入方法。固態(tài)硬盤包括單層式儲(chǔ)存單元和三層式儲(chǔ)存單元，該方法包括：S1：固態(tài)硬盤的主控端發(fā)出寫入指令，數(shù)據(jù)被寫入SLC數(shù)據(jù)緩沖區(qū)；S2：當(dāng)數(shù)據(jù)寫滿預(yù)設(shè)數(shù)量的單層式儲(chǔ)存單元時(shí)，下發(fā)復(fù)制寫回指令；S3：將預(yù)設(shè)數(shù)量的單層式儲(chǔ)存單元內(nèi)的數(shù)據(jù)寫入三層式儲(chǔ)存單元中；S4：更新三層式儲(chǔ)存單元對(duì)應(yīng)的物理對(duì)邏輯映像表。通過實(shí)施本發(fā)明，可加速主控端的數(shù)據(jù)寫入速度，減少讀取時(shí)間，同時(shí)減少固態(tài)硬盤垃圾收集的次數(shù)，改善固態(tài)硬盤的存取效能。