一種固態(tài)硬盤的內(nèi)存轉(zhuǎn)換層對映架構(gòu)及方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201710262947.3 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN108733576A | 公開(公告)日 | 2018-11-02 |
申請公布號 | CN108733576A | 申請公布日 | 2018-11-02 |
分類號 | G06F12/02 | 分類 | 計算;推算;計數(shù); |
發(fā)明人 | 林昱緯;胡豪;彭中德 | 申請(專利權(quán))人 | 立而鼎科技(深圳)有限公司 |
代理機構(gòu) | 深圳市瑞方達知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 立而鼎科技(深圳)有限公司;深圳市得一微電子有限責任公司 |
地址 | 518000 廣東省深圳市南山區(qū)科技園中區(qū)生產(chǎn)力大廈BC棟四樓415-418 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明涉及一種固態(tài)硬盤的內(nèi)存轉(zhuǎn)換層對映架構(gòu)及方法。該內(nèi)存轉(zhuǎn)換層對映架構(gòu)包括:第一層映射表和第二層映射表,其中,第一層映射表用于記錄隨機存取數(shù)據(jù);第二層映射表包括連續(xù)存取映射表和隨機存取映射表,連續(xù)存取映射表用于記錄寫入單元的對映關(guān)系,隨機存取映射表用于記錄隨機存取寫入單元所對映的物理地址。通過實施本發(fā)明,縮小內(nèi)存轉(zhuǎn)換層中映射表的大小,節(jié)省SRAM的使用;在隨機存取的情況下增加了映射表的命中率,進而提升了隨機讀取的效能以及減少映射表頻繁的置換。 |
