一種高密度細晶粒易成型的W靶材的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911336274.7 申請日 -
公開（公告）號 CN110983264A 公開（公告）日 2020-04-10
申請公布號 CN110983264A 申請公布日 2020-04-10
分類號 C23C14/34;C23C14/35;B22F3/04;B22F3/15 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 賈倩;丁照崇;李勇軍;龐欣;曲鵬;祁鈺;曹曉萌;滕海濤 申請（專利權）人 有研億金新材料（山東）有限公司
代理機構 北京眾合誠成知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 有研億金新材料有限公司
地址 102200 北京市昌平區(qū)超前路33號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了屬于磁控濺射靶材制造技術領域的一種高密度細晶粒易成型的W靶材的制備方法。所述W靶材，采用冷壓的方式進行預成型，獲得預成型W靶坯，預成型W靶坯的相對密度為60％～70％；然后將預成型的W靶坯進行熱等靜壓燒結致密化，獲得致密化W靶坯，所述致密化W靶坯的相對密度為93％～96％；最后將其進行無包套二次熱等靜壓燒結致密化，制得的W靶材的致密度>99％，平均晶粒尺寸<20μm，成品率>95％。所述W靶材易成型開裂的概率低，成品率高，工藝簡單易操作，二次熱等靜壓燒結致密化，可降低熱等靜壓過程中的燒結溫度，獲得晶粒細小的鎢靶材。