一種無需靈敏放大器的SRAM體系電路
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN200610058161.1 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN101034585B | 公開（公告）日 | 2010-10-06 |
| 申請公布號 | CN101034585B | 申請公布日 | 2010-10-06 |
| 分類號 | G11C7/00(2006.01)I;G11C8/00(2006.01)I | 分類 | 信息存儲; |
| 發(fā)明人 | 林豐成;林昕 | 申請（專利權）人 | 深圳市科銘實業(yè)有限公司 |
| 代理機構 | 北京三高永信知識產(chǎn)權代理有限責任公司 | 代理人 | 天利半導體（深圳）有限公司;深圳市科銘實業(yè)有限公司 |
| 地址 | 518067 廣東省深圳市南山區(qū)沿河路6號佳利泰大廈8樓E座 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種無需靈敏放大器的SRAM體系電路，并且提供內(nèi)部時序電路。SRAM單元采用經(jīng)典的6管結構，由于預充電電路在讀寫交替時將位數(shù)據(jù)線充電到高電位，該SRAM電路的單元的尺寸在讀出數(shù)據(jù)時只需滿足能夠有效的將一邊的電平拉低到地即可，設計尺寸能夠同時滿足讀和寫的要求。SRAM工作的時序被由電路中的時序模塊來提供。時序電路的輸出決定了讀寫速度，在電路中滿足存儲器工作所需的時序。 |
