自旋回波變異波譜鍍膜及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110303571.2 申請日 -
公開（公告）號 CN113088905A 公開（公告）日 2021-07-09
申請公布號 CN113088905A 申請公布日 2021-07-09
分類號 C23C14/35（2006.01）I;C23C14/08（2006.01）I;C23C14/18（2006.01）I;C23C14/54（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 焦鑫;梁娟;張峰;吳克墀 申請（專利權）人 深圳力合防偽技術有限公司
代理機構 深圳市惠邦知識產權代理事務所 代理人 滿群
地址 518057廣東省深圳市南山區(qū)高新南七道深圳清華大學研究院C320
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及自旋回波變異波譜鍍膜及其制備方法，包括：⑴采用磁控濺射真空鍍膜機在玻璃表面鍍鍍膜物質，在沉積過程施加56mT，26μs的磁場脈沖獲得自旋回波變異波譜鍍膜；⑵將自旋回波變異波譜鍍膜和鍍膜物質分別用X射線衍射儀測定納米晶型結構；⑶采用按非相干接收方式工作的可變頻率的牛津脈沖自旋回波核磁共振儀進行測量；⑷鍍膜物質脈沖自旋回波波峰為252MHZ～352MHZ，自旋?晶格豫馳時間T1：262μS～302μS，T2：23μS～25.2μS、對應的自旋回波變異波譜鍍膜脈沖自旋回波波峰為285MHZ～385MHZ，自旋?晶格豫馳時間T1：283μS～352μS，T2：29.2μS～45.5μS。