一種低暗電流的圖像傳感器像素結(jié)構(gòu)
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011431902.2 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN112563298A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-03-26 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112563298A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-03-26 |
| 分類號(hào) | H01L27/146(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 陳多金;曠章曲;王菁;張帥;孫偉;劉志碧;陳杰 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 上海韋爾半導(dǎo)體股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京凱特來(lái)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 鄭立明;趙鎮(zhèn)勇 |
| 地址 | 201210上海市浦東新區(qū)上科路88號(hào)豪威科技園 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種低暗電流的圖像傳感器像素結(jié)構(gòu)，包括置于半導(dǎo)體基體中的感光二極管、負(fù)電荷固定介質(zhì)層、懸浮漏區(qū)、傳輸管柵極及其側(cè)墻。負(fù)電荷固定層由一種高介電常數(shù)(k)的氧化層組成，高k值的氧化層可以是Al2O3、HfO2及其Ta02等材料，高k值氧化層將淀積于PD硅表面及其傳輸柵下面的硅表面，直接與硅表面接觸形成Si?O界面。高k值氧化層將在Si?O界面產(chǎn)生束縛電子的界面能，界面能有效地束縛了光電二極管表面及其傳輸管溝道的不飽和懸掛鍵及其缺陷所產(chǎn)生的電子，從而有效的減低了暗電流。?? |
