高性能圖像傳感器及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110389664.1 申請日 -
公開（公告）號 CN113113438A 公開（公告）日 2021-07-13
申請公布號 CN113113438A 申請公布日 2021-07-13
分類號 H01L27/146（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王箐;曠章曲;陳多金;孫偉;田曉川;龔雨琛;伍建華;劉志碧;陳杰 申請（專利權）人 上海韋爾半導體股份有限公司
代理機構(gòu) 北京凱特來知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 鄭立明;趙鎮(zhèn)勇
地址 201210上海市浦東新區(qū)上科路88號豪威科技園
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種高性能圖像傳感器及其制備方法，像素結(jié)構(gòu)使用溝槽式通孔連接上、下兩層金屬，該溝槽式通孔與上層金屬形成與像素大小相同的網(wǎng)格，作為金屬遮蔽結(jié)構(gòu)。在下層金屬制程之后，沉積一層SiN襯底，作為像素區(qū)的溝槽式通孔和邏輯區(qū)的金屬孔的終止層；在孔刻蝕制程過程最后增加一步對SiN具有高選擇比的蝕刻工藝，使溝槽式通孔和金屬孔既與下層金屬鏈接，又停留在介質(zhì)氧化層上，形成金屬遮蔽；之后，在溝槽式通孔上濺射上層金屬，并通過光刻形成相同寬度的金屬遮蔽結(jié)構(gòu)?？梢詼p小在進行光通道蝕刻過程中等離子體對硅表面的損傷，減小暗電流和噪聲。同時，金屬遮蔽結(jié)構(gòu)可以將斜入射光折射到像素單元表面，減小串擾。