一種基于物理結構的溝槽型MOSFET電路模型及其建立方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110185932.8 申請日 -
公開（公告）號 CN112906334A 公開（公告）日 2021-06-04
申請公布號 CN112906334A 申請公布日 2021-06-04
分類號 G06F30/367 分類 計算；推算；計數(shù);
發(fā)明人 方鎮(zhèn)東;諸舜杰;鐘添賓 申請（專利權）人 上海韋爾半導體股份有限公司
代理機構 深圳睿臻知識產(chǎn)權代理事務所（普通合伙） 代理人 張海燕
地址 201203 上海市浦東新區(qū)自由貿(mào)易試驗區(qū)龍東大道3000號1幢C樓7層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請實施例提供了一種基于物理結構的溝槽型MOSFET電路模型及其建立方法，包括，電壓控制電壓源，第一MOSFET，第二MOSFET，第一電阻，第二電阻，第一電容，第二電容和二極管；本申請?zhí)峁┑募夹g方案基于電流電壓方程的參數(shù)擬合，結合SPICE仿真技術，實現(xiàn)一種精度高、速度快、符合器件物理特性的SPICE宏模型，該模型適用于溝槽型MOSFET器件，兼容各種SPICE仿真器，提高了仿真精確度與速度，縮短了電源器件設計周期。