一種減小暗電流和電學(xué)串?dāng)_的圖像傳感器像素結(jié)構(gòu)
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202011413537.2 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN112530986A | 公開（公告）日 | 2021-03-19 |
| 申請公布號(hào) | CN112530986A | 申請公布日 | 2021-03-19 |
| 分類號(hào) | H01L27/146(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 陳多金;曠章曲;王菁;張帥;孫偉;劉志碧;陳杰 | 申請（專利權(quán)）人 | 上海韋爾半導(dǎo)體股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京凱特來知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 鄭立明;趙鎮(zhèn)勇 |
| 地址 | 201210上海市浦東新區(qū)上科路88號(hào)豪威科技園 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種減小暗電流和電學(xué)串?dāng)_的圖像傳感器像素結(jié)構(gòu)，包括置于半導(dǎo)體基體中的感光元件、淺槽隔離、淺槽隔離區(qū)的復(fù)合注入層、介質(zhì)層、接觸孔以及置于正面絕緣介質(zhì)中的金屬互連線。在相鄰的感光器件之間的淺槽隔離區(qū)形成一層復(fù)合注入層，復(fù)合注入層包含高濃度低能量N型摻雜、低濃度高能量N型多步摻雜以及低濃度中能量P型多步摻雜，復(fù)合注入層形成有效的濃度梯度并通過接觸孔連接到外部偏壓或電源上，復(fù)合注入層通過外部偏壓形成的電場并在此電場的驅(qū)動(dòng)下，不僅消除了來自襯底串?dāng)_的電子，而且也吸收了在淺槽隔離與硅基界面所產(chǎn)生的暗電流。?? |
