有機(jī)電致發(fā)光器件

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201610116356.0 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN105755467B 公開（公告）日 2018-12-04
申請(qǐng)公布號(hào) CN105755467B 申請(qǐng)公布日 2018-12-04
分類號(hào) C23C28/04;C23C14/35;C23C14/24;C23C14/08;H01L51/52 分類 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 不公告發(fā)明人 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 浙江成森電氣有限公司
代理機(jī)構(gòu) 重慶創(chuàng)新專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 浙江成森電氣有限公司
地址 325600 浙江省樂清市經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)樂商創(chuàng)業(yè)園B幢(樂清經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)投資發(fā)展有限公司內(nèi))
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極、發(fā)光層以及陰極，其特征在于，所述陽極為導(dǎo)電薄膜，包括層疊的ZnO：R3+層及V2O5層，其中，R為鋁元素，鎵元素和銦元素中的一種；所述ZnO：R3+層是納米線結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電薄膜，所述納米線直徑為30nm～400nm；所述ZnO：R3+層的厚度為50nm～800nm，所述V2O5層的厚度為0.5nm～10nm。上述有機(jī)電致發(fā)光器件通過在ZnO：R3+層的表面沉積及高功函的V2O5層制備雙層導(dǎo)電薄膜，既能保持ZnO：R3+層的良好的導(dǎo)電性能，又使有機(jī)電致發(fā)光器件的功函數(shù)得到了顯著的提高。