采用類金剛石修飾人工晶體的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN00122852.8 申請日 -
公開（公告）號 CN1340637A 公開（公告）日 2002-03-20
申請公布號 CN1340637A 申請公布日 2002-03-20
分類號 C30B29/04;A61L27/08;A61F2/16 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 顧漢卿 申請（專利權(quán)）人 天津泰達(dá)生物醫(yī)學(xué)工程股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 天津市專利事務(wù)所 代理人 張國慶;王融生
地址 300457天津市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)第五大街泰華路12號7樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 采用類金剛石修飾人工晶體的方法是在高真空等離子體加速氣相沉積的條件下,在低溫5～80℃,載能離子束輔助沉積的作用下,使碳原子的SP2向SP3轉(zhuǎn)化而形成類金剛石結(jié)構(gòu)。結(jié)構(gòu)測定證實(shí),SP3成分的存在。結(jié)果證實(shí)各項(xiàng)測定指標(biāo)均與PMMA IOL有顯著性差異,生物相容性優(yōu)于PMMA IOI,表面硬度是PMMA IOL的10倍,且親水、顏色微黃至微褐色。加工成本低。