一種用于優(yōu)化堆疊開關(guān)管耐壓均勻性的射頻開關(guān)電路
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202121994304.6 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN215773068U | 公開(公告)日 | 2022-02-08 |
申請公布號 | CN215773068U | 申請公布日 | 2022-02-08 |
分類號 | H03K17/10(2006.01)I;H03K17/687(2006.01)I | 分類 | 基本電子電路; |
發(fā)明人 | 沈宇;管劍鈴;謝婷婷;王玉嬌;周德杭;倪成東;倪文海;徐文華 | 申請(專利權(quán))人 | 上海迦美信芯通訊技術(shù)有限公司 |
代理機構(gòu) | 上海創(chuàng)開專利代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 李蘭蘭 |
地址 | 201203上海市浦東新區(qū)中國(上海)自由貿(mào)易試驗區(qū)郭守敬路498號6幢9101-9104室 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本實用新型公開了一種用于優(yōu)化堆疊開關(guān)管耐壓均勻性的射頻開關(guān)電路,涉及射頻集成電路技術(shù)領(lǐng)域。本實用新型包括:串聯(lián)支路模塊:包括2N個第一開關(guān)晶體管、第一偏置晶體管、第一源漏電阻、第一柵極偏置電阻,2N?1個第一柵極串聯(lián)電阻和1個第一柵極公共端電阻;并聯(lián)支路模塊:由2M個第二開關(guān)晶體管、第二偏置晶體管、第二源漏電阻、第二柵極偏置電阻,2M?1個第二柵極串聯(lián)電阻和1個第二柵極公共端電阻;本實用新型結(jié)構(gòu)可以降低射頻開關(guān)前幾級和后幾級開關(guān)晶體管承擔(dān)的最大峰值電壓,提高射頻開關(guān)各級開關(guān)晶體管的耐壓均勻性以及射頻開關(guān)的最大輸入功率,尤其提高了并聯(lián)支路模塊各級開關(guān)晶體管的耐壓均勻性。 |
