一種用于優(yōu)化堆疊開關(guān)管耐壓均勻性的射頻開關(guān)電路
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110972283.6 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN113472329A | 公開（公告）日 | 2021-10-01 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113472329A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-10-01 |
| 分類號(hào) | H03K17/10（2006.01）I;H03K17/687（2006.01）I | 分類 | 基本電子電路; |
| 發(fā)明人 | 沈宇;管劍鈴;謝婷婷;王玉嬌;周德杭;倪成東;倪文海;徐文華 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 上海迦美信芯通訊技術(shù)有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海創(chuàng)開專利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 李蘭蘭 |
| 地址 | 201203上海市浦東新區(qū)中國(guó)（上海）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)郭守敬路498號(hào)6幢9101-9104室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種用于優(yōu)化堆疊開關(guān)管耐壓均勻性的射頻開關(guān)電路，涉及射頻集成電路技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明包括：串聯(lián)支路模塊：包括2N個(gè)第一開關(guān)晶體管、第一偏置晶體管、第一源漏電阻、第一柵極偏置電阻，2N?1個(gè)第一柵極串聯(lián)電阻和1個(gè)第一柵極公共端電阻；并聯(lián)支路模塊：由2M個(gè)第二開關(guān)晶體管、第二偏置晶體管、第二源漏電阻、第二柵極偏置電阻，2M?1個(gè)第二柵極串聯(lián)電阻和1個(gè)第二柵極公共端電阻；本發(fā)明結(jié)構(gòu)可以降低射頻開關(guān)前幾級(jí)和后幾級(jí)開關(guān)晶體管承擔(dān)的最大峰值電壓，提高射頻開關(guān)各級(jí)開關(guān)晶體管的耐壓均勻性以及射頻開關(guān)的最大輸入功率，尤其提高了并聯(lián)支路模塊各級(jí)開關(guān)晶體管的耐壓均勻性。 |
