一種真空滲鉻用容器、系統(tǒng)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202121840614.2 申請日 -
公開（公告）號 CN216473440U 公開（公告）日 2022-05-10
申請公布號 CN216473440U 申請公布日 2022-05-10
分類號 C23C10/38（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 徐靜;喻杰;葉林;楊順;徐皓龍;胡宵陽 申請（專利權(quán)）人 四川華都核設(shè)備制造有限公司
代理機構(gòu) 成都四合天行知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 611830四川省成都市都江堰市四川都江堰經(jīng)濟開發(fā)區(qū)龍翔路5號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種真空滲鉻用容器、系統(tǒng)，所述容器包括真空箱，所述真空箱包括箱體及箱蓋，所述真空箱上還設(shè)置有用于對其內(nèi)部進行抽真空的氣路，所述箱蓋包括第一密封蓋及第二密封蓋；所述第一密封蓋可拆卸連接于所述箱體的開口端；所述第二密封蓋設(shè)置在箱體的內(nèi)側(cè)，第二密封蓋通過錐面支撐于箱體內(nèi)；所述錐面為沿著箱體周向方向延伸的環(huán)狀，第二密封蓋作為箱體內(nèi)的分層隔板；錐面靠近第一密封蓋一側(cè)的尺寸大于另一側(cè)的尺寸；第一密封蓋與第二密封蓋之間形成腔隙，所述氣路的入口端與所述腔隙對接。所述系統(tǒng)以所述容器作為基礎(chǔ)或為所述容器的具體運用。采用本方案提出的技術(shù)方案，可有效提保證滲鉻過程的安全性。