一種提高單層電容器鍵合強(qiáng)度的制造工藝

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010972975.6 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN111952267A 公開（公告）日 2020-11-17
申請(qǐng)公布號(hào) CN111952267A 申請(qǐng)公布日 2020-11-17
分類號(hào) H01L23/48;H01L23/64;H01G13/00 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 關(guān)秋云;吳繼偉;楊國(guó)興 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 大連達(dá)利凱普科技股份公司
代理機(jī)構(gòu) 大連智高專利事務(wù)所(特殊普通合伙) 代理人 畢進(jìn)
地址 116630 遼寧省大連市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)光明西街10號(hào)1-4層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于電子元器件生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種提高單層電容器鍵合強(qiáng)度的制造工藝。通過調(diào)整陶瓷基片粗糙度、基片清洗方式，調(diào)整濺射工藝，并在濺射金屬電極后增加一次退火，即采用兩次退火工藝。將單層電容器的鍵合強(qiáng)度提高至12.98gf，解決了鍵合點(diǎn)脫落問題。