一種超薄單層陶瓷電容器基片吸真空工裝及制造工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010974977.9 申請日 -
公開（公告）號 CN111958482A 公開（公告）日 2020-11-20
申請公布號 CN111958482A 申請公布日 2020-11-20
分類號 B24B37/28;B24B37/30;B24B1/00;H01G13/00;H01G4/12 分類 磨削；拋光;
發(fā)明人 劉溪筆;劉云志;楊國興;吳繼偉 申請（專利權(quán)）人 大連達(dá)利凱普科技股份公司
代理機(jī)構(gòu) 大連智高專利事務(wù)所(特殊普通合伙) 代理人 畢進(jìn)
地址 116630 遼寧省大連市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)光明西街10號1-4層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種超薄單層陶瓷電容器基片吸真空工裝及制造工藝，屬于單層陶瓷電容器制造領(lǐng)域。技術(shù)方案：采用一次性樹脂游輪工裝對產(chǎn)品進(jìn)行預(yù)處理，使基片從0受力到全面受力均勻逐步進(jìn)行，將燒結(jié)后基片表面的雜質(zhì)、凹坑、凸起去除，使產(chǎn)品平整厚度一致；正面減?。翰捎脺p薄機(jī)與專用吸真空工裝匹配對基片正面進(jìn)行減薄；正面研磨：通過專用吸真空工裝匹配，采用單面研磨機(jī)對基片正面進(jìn)行研磨；正面拋光：通過專用吸真空工裝匹配，采用單面拋光機(jī)對基片正面進(jìn)行拋光；同理進(jìn)行反面減薄、研磨、拋光。有益效果：本發(fā)明解決了現(xiàn)有工藝的極限厚度、精度、碎片率、外觀不良等問題，完全可以滿足100um厚度電容器所需基片要求，實現(xiàn)了超薄單層陶瓷電容器的制造。