鰭式場效應晶體管的制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201711325799.1 申請日 -
公開（公告）號 CN108054100A 公開（公告）日 2021-06-11
申請公布號 CN108054100A 申請公布日 2021-06-11
分類號 H01L21/336 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 不公告發(fā)明人 申請（專利權）人 深圳邁遼技術轉移中心有限公司
代理機構 深圳市蘭鋒知識產權代理事務所（普通合伙） 代理人 曹明蘭
地址 518000 廣東省深圳市龍華新區(qū)大浪街道龍勝社區(qū)騰龍路淘金地電子商務孵化基地展滔商業(yè)廣場E座706
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種鰭式場效應晶體管的制作方法，包括：提供SOI基底，并在所述SOI基底形成臺階部；基于所述SOI基底的臺階部形成高度不同的鰭部；在所述鰭部表面形成柵介質層，并在所述柵介質層表面形成柵極；采用傾斜角度注入的方式分別對所述鰭部兩側進行離子注入，以在所述鰭部形成源區(qū)和漏區(qū)。本發(fā)明提供的鰭式場效應晶體管的制作方法可以解決相鄰鰭式場效應晶體管的鰭部的陰影效應。