鰭式場效應(yīng)晶體管的制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201711325799.1 申請日 -
公開（公告）號 CN108054100B 公開（公告）日 2021-06-11
申請公布號 CN108054100B 申請公布日 2021-06-11
分類號 H01L21/336 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 不公告發(fā)明人 申請（專利權(quán)）人 深圳邁遼技術(shù)轉(zhuǎn)移中心有限公司
代理機構(gòu) 深圳峰誠志合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 李明香
地址 518000 廣東省深圳市南山區(qū)粵海街道科技園社區(qū)瓊宇路2號特發(fā)信息科技大廈15樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種鰭式場效應(yīng)晶體管的制作方法，包括：提供SOI基底，并在所述SOI基底形成臺階部；基于所述SOI基底的臺階部形成高度不同的鰭部；在所述鰭部表面形成柵介質(zhì)層，并在所述柵介質(zhì)層表面形成柵極；采用傾斜角度注入的方式分別對所述鰭部兩側(cè)進(jìn)行離子注入，以在所述鰭部形成源區(qū)和漏區(qū)。本發(fā)明提供的鰭式場效應(yīng)晶體管的制作方法可以解決相鄰鰭式場效應(yīng)晶體管的鰭部的陰影效應(yīng)。