用于鑄造單晶硅的籽晶鋪設(shè)方法、單晶硅錠及其鑄造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010354039.9 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113564695A 公開(kāi)（公告）日 2021-10-29
申請(qǐng)公布號(hào) CN113564695A 申請(qǐng)公布日 2021-10-29
分類(lèi)號(hào) C30B15/36（2006.01）I;C30B15/10（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I;C30B33/02（2006.01）I 分類(lèi) 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 雷琦;何亮;李建敏;程小娟;鄒貴付;甘勝泉;陳仙輝 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 江西賽維LDK太陽(yáng)能高科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州三環(huán)專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 代理人 熊永強(qiáng)
地址 338000江西省新余市高新經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)賽維工業(yè)園專(zhuān)利辦公室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種鑄造單晶硅的籽晶鋪設(shè)方法，包括：提供坩堝，在所述坩堝底部間隔鋪設(shè)上下表面平整的墊片，形成墊片層；在所述墊片層上鋪設(shè)至少一個(gè)支撐片，以形成覆蓋所述墊片及其之間空隙的支撐片層；依次交替設(shè)置所述墊片層和支撐片層，以形成（AB）n排布形式的架空結(jié)構(gòu)，其中，A為墊片層，B為支撐片層，n為大于或等于1的整數(shù)；在所述架空結(jié)構(gòu)上鋪設(shè)單晶硅籽晶，形成籽晶層。通過(guò)在籽晶層上設(shè)置價(jià)格便宜的架空結(jié)構(gòu)，可以減少所用籽晶的數(shù)量、降低單晶硅的鑄造成本，并降低所得單晶硅錠的尾部紅區(qū)。本發(fā)明還提供了一種單晶硅錠及其鑄造方法。