一種晶體硅晶向的測定方法和應(yīng)用

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010775404.3 申請日 -
公開（公告）號 CN112098406A 公開（公告）日 2020-12-18
申請公布號 CN112098406A 申請公布日 2020-12-18
分類號 G01N21/84 分類 測量；測試;
發(fā)明人 李建敏;劉華;簡學勇;付紅平;雷琦;何亮;程小娟;鄒貴付;甘勝泉 申請（專利權(quán)）人 江西賽維LDK太陽能高科技有限公司
代理機構(gòu) 廣州三環(huán)專利商標代理有限公司 代理人 熊永強
地址 338000 江西省新余市高新經(jīng)濟開發(fā)區(qū)賽維工業(yè)園專利辦公室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請實施例提供了一種晶體硅晶向的測定方法，包括以下步驟：取待測晶體硅片，將所待測晶體硅片至少包括一對相對設(shè)置的第一表面和第二表面；對所述第一表面進行腐蝕處理，清洗、干燥后，轉(zhuǎn)移至平臺上，使第二表面貼于所述平臺上，設(shè)置光源以將所述干燥后的第一表面暴露在同一光照強度下，拍攝所述第一表面的圖像，經(jīng)圖像處理得到所述圖像的灰度值數(shù)據(jù)；將所述圖像的灰度值數(shù)據(jù)與標準晶向?qū)φ毡淼臉藴驶叶戎禂?shù)據(jù)進行比對，以測定所述待測晶體硅片的第一表面的晶向；所述標準晶向?qū)φ毡戆喾N不同標準晶向的圖像的灰度值數(shù)據(jù)。該晶體硅晶向的測定方法能夠快速、有效地測定晶向，提高檢測效率，減少檢測成本。本申請還提供了該測定方法的應(yīng)用。