一種籽晶的鋪設(shè)方法、單晶硅錠的鑄造方法和單晶硅片

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010027396.4 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113122913A 公開(kāi)（公告）日 2021-07-16
申請(qǐng)公布號(hào) CN113122913A 申請(qǐng)公布日 2021-07-16
分類號(hào) C30B15/36（2006.01）I;C30B15/00（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 雷琦;何亮;鄒貴付;程小娟;陳仙輝;甘勝泉 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江西賽維LDK太陽(yáng)能高科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 熊永強(qiáng)
地址 338004江西省新余市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)園區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N籽晶的鋪設(shè)方法，包括：提供坩堝、多個(gè)第一籽晶和多個(gè)第二籽晶，所述第一籽晶和所述第二籽晶的生長(zhǎng)面為同一晶向族，均為<100>；在所述坩堝底部交替拼接鋪設(shè)所述第一籽晶和所述第二籽晶，形成籽晶層，其中，所述籽晶層包括至少一個(gè)2×2矩陣單元，在同一矩陣單元的對(duì)角線方向上的兩個(gè)第一籽晶的生長(zhǎng)面晶向相反，在同一矩陣單元的對(duì)角線方向上的兩個(gè)第二籽晶的生長(zhǎng)面的晶向相反，所述第一籽晶和所述第二籽晶的側(cè)面晶向具有夾角。通過(guò)本申請(qǐng)?zhí)峁┑淖丫т佋O(shè)方法，使得籽晶與其周圍籽晶之間側(cè)面晶向均存在夾角，在制備單晶硅過(guò)程中可以形成晶界，減少缺陷的發(fā)生和引晶時(shí)的位錯(cuò)源，降低位錯(cuò)密度，提高硅錠的質(zhì)量。