籽晶鋪設(shè)方法、鑄錠單晶硅的生產(chǎn)方法和鑄錠單晶硅
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010872732.5 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN112126972A | 公開（公告）日 | 2020-12-25 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112126972A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-12-25 |
| 分類號(hào) | C30B11/14(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 分類 | 晶體生長(zhǎng)〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 何亮;羅鴻志;雷奇;毛偉;周成;徐云飛;李建敏;程小娟;鄒貴付;甘勝泉;陳仙輝 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 江西賽維LDK太陽(yáng)能高科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人 | 熊永強(qiáng) |
| 地址 | 338000江西省新余市高新經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)賽維工業(yè)園專利辦公室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種籽晶鋪設(shè)方法，包括：提供坩堝，在所述坩堝的底部鋪設(shè)籽晶層，其中，籽晶層由多個(gè)第一籽晶和多個(gè)第二籽晶間隔拼接形成，任意相鄰兩個(gè)所述第一籽晶之間設(shè)有一個(gè)所述第二籽晶，任意相鄰兩個(gè)所述第二籽晶之間設(shè)有一個(gè)所述第一籽晶，所述第一籽晶和所述第二籽晶的生長(zhǎng)面晶向相同，側(cè)面晶向不同；第一籽晶和所述第二籽晶均為重?fù)絾尉?，重?fù)絾尉У膿诫s元素包括硼、鎵、磷和鍺中的至少一種籽晶鋪設(shè)方法。一種生長(zhǎng)高質(zhì)量鑄錠單晶的籽晶制備方法。該籽晶鋪設(shè)方法中鋪設(shè)的籽晶層，可以抑制熱沖擊產(chǎn)生的位錯(cuò)及顯著減少引晶過(guò)程中產(chǎn)生的位錯(cuò)源，有利于生產(chǎn)位錯(cuò)極低的鑄錠單晶硅。本申請(qǐng)還提供了鑄錠單晶硅的生產(chǎn)方法和鑄錠單晶硅。?? |
